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Sheet No.: D3-A04101EN
GP1A52LRJ00F
?/DIV>
Parts
This product is assembled using the below parts.
   " Photodetector (qty. : 1)
[Using a silicon photodiode as light detecting portion, and a bipolar IC as signal processing circuit]
Category
Maximum Sensitivity
wavelength (nm)
Sensitivity
wavelength (nm)
Response time (約)
Photodiode
900
400 to 1 200
3
   " Photo emitter (qty. : 1)
Category
Material
Maximum light emitting
wavelength (nm)
I/O Frequency (MHz)
Infrared emitting diode
(non-coherent)
Gallium arsenide (GaAs)
950
0.3
   " Material
Case
Lead frame plating
Black NORYL resin
Solder dip. (Sn3Ag0.5Cu)
   " Others
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